Especificaciones tecnológicas ES1JL R3G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G con especificaciones similares a TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | Taiwan Semiconductor | |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 1A | |
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V | |
Paquete del dispositivo | Sub SMA | |
Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
Serie | - | |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35ns | |
embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Paquete / Cubierta | DO-219AB | |
Otros nombres | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 Weeks | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Tipo de diodo | Standard | |
Descripción detallada | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 600V | |
Corriente - rectificada media (Io) | 1A | |
Capacitancia Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las TSC (Taiwan Semiconductor) ES1JL R3G
Atributo del producto | ||||
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Número de pieza | ES1JL R3G | ES1JFL | ES1JAF | ES1JFL |
Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | onsemi |
embalaje | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 Weeks | - | - | - |
Paquete / Cubierta | DO-219AB | SOD-123F | DO-214AD, SMAF | SOD-123F |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
Corriente - rectificada media (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A |
Serie | - | - | - | - |
Tipo de diodo | Standard | - | - | - |
Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Descripción detallada | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
Capacitancia Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz |
Paquete del dispositivo | Sub SMA | SOD-123F | DO-214AD (SMAF) | SOD-123F |
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V | 600 V | 600 V | 600 V |
Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Otros nombres | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
- | - | - |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35ns | 35 ns | 34 ns | 35 ns |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 600V | 5 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 500 nA @ 600 V |
Descargue las hojas de datos PDF ES1JL R3G y la documentación TSC (Taiwan Semiconductor) para ES1JL R3G - TSC (Taiwan Semiconductor).
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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